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“钼”成300层+NAND必选项 机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站
A | 本周三（8月26日）美股盘后，“AI芯片霸主”英伟达将公布2027财年第二季度财报。作为AI交易的风向标，英伟达财报已成为投资者每个季度都翘首以盼的重头戏，其业绩表现不仅关乎自身股价，更将牵动整个AI芯片乃至美股科技板块的走向。 当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。
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SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。
C | 更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。
根据媒体汇总的分析师的一致预期，英伟达第二季度营收将达920亿美元，调整后每股收益（EPS）为2.09美元。这将意味着公司整体营收将实现96%的同比增长，并且环比增速进一步加快。
该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。 摩根士丹利上周预计，英伟达第二季度营收为911亿美元，第三季度营收为1023亿美元；对应每股收益分别为2.07美元和2.34美元，与市场预期基本持平。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。
英伟达在上一次财报中更改了报告披露框架，将业务划分为“数据中心”和“边缘计算”两大平台。 受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。其中，数据中心业务进一步细分为“超大规模云厂商（Hyperscale）”和“ACIE（AI云、工业和企业）”两大板块。 而个人电脑（PC）、游戏主机、工作站、机器人以及汽车相关收入，则统一归入“边缘计算”板块。 英伟达第二季度数据中心业务营收预计将突破854亿美元，同比增长107%。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。其中，超大规模云服务商板块的收入预计达435亿美元，ACIE板块的收入预计将达417亿美元。
D | 英伟达绝大部分营收依旧来自亚马逊、谷歌、微软等超大规模云服务商。 钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。 300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。但这些公司要么在自研芯片降低对英伟达的依赖，要么在向第三方客户销售自研芯片，这或将成为英伟达未来增长的不利因素。 据相关统计，如果英伟达第二季度业绩符合华尔街预期，该公司将成为该季度标普500指数盈利增长的第四大贡献者，排在亚马逊、Alphabet和美光（在AI热潮的推动下，这三家公司的业绩近几个季度实现了爆发式增长）之后，是过去11个季度中排名最低的一次。
E | 但若排除Alphabet和亚马逊的一次性投资收益，美光将位居第一，英伟达排在第二。 375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。
F | 而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。 中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。随着AI存储芯片需求激增，美光利润大幅飙升。 AI交易迎“大考” 在这份财报发布之际，美股芯片股整体承压。 然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。由于市场担忧企业巨额AI投资能否产生相应的回报，7月份芯片股遭遇大幅回调。过去几周，芯片股虽明显反弹但行情仍然脆弱。 相比于英伟达财报的姗姗来迟，美国多家主要科技巨头早在近一个月前就已经交出了“成绩单”。微软、亚马逊和谷歌凭借各自云业务的强劲增长，在一定程度上缓解了市场担忧。不过，谷歌和Meta公布的资本支出加码计划，还是让投资者捏了一把汗。
G | 基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。 爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中—— 沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级； 输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送； CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求； 清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入； 刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求； 量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。 与此同时，英伟达持续同AI生态圈的各方企业达成合作。 该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。
（文章来源：科创板日报）。这持续加剧投资者对AI行业“循环融资”的担忧。 本月早些时候，这家AI领军企业宣布，正与贝莱德、黑石、KKR、阿波罗、Brookfield以及高盛联手，筹建一个规模达5000亿美元的资金池，推动将英伟达GPU 资产证券化。 此外，英伟达还同意为OpenAI在美国俄亥俄州租赁一座大型数据中心提供最高1050亿美元的担保。该数据中心由软银旗下SB Energy负责开发，这也是英伟达迄今规模最大的基础设施融资承诺之一。 Seaport Research首席股票策略师Jonathan Golub表示，英伟达的业绩不仅仅是对推动行业超大规模数据中心建设的云巨头们的一次检验，同时也关乎所有支撑这项技术的企业。 “这其中包括为数据中心提供电力的公司、负责数据中心建设的公司、为数据中心项目提供贷款的银行，以及参与相关企业IPO的资本市场机构。所以，与AI主题相关联的企业群体非常广泛。”他表示。 市场研究公司eMarketer的科技分析师Jacob Bourne在接受媒体采访时表示，英伟达的季度业绩之所以对整个市场意义重大，是因为这家公司正处于AI交易的核心位置，而AI交易本身又是推动市场上涨的主要动力。 该分析师同时指出，电力供给正成为英伟达业绩的一大制约因素。他表示，在美国部分地区，数据中心建设极具政治争议。即便市场对英伟达产品的需求持续旺盛，其转化为实际收入的速度，仍取决于数据中心建设的推进节奏。 此外，Bourne也承认，市场对英伟达财报的预期已经发生了变化——投资者越来越将“业绩超预期”视作理所当然，该公司满足投资者期望的门槛相当高。在他看来，英伟达需要向投资者证明其增长势头能够持续，而在这一点上，英伟达能做的其实有限。 摩根士丹利也预计，英伟达大概率再次交出“超预期+上调指引”的成绩单，但单纯的业绩超预期可能已经不足以推动该公司股价上涨。
H | 该行认为，市场份额、毛利率、循环融资模式以及Rubin放量等中长期变量，才是决定英伟达估值能否进一步扩张的关键，而单份财报可能无法彻底回答这些问题。
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Published on:16:33:22