头脑风暴

“钼”成300层+NAND必选项 机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

A |     　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。    ２月23日。東京・将棋会館において伊藤園お～いお茶杯第67期王位戦・挑戦者決定リーグ▲羽生善治九段（55歳）－△永瀬拓矢九段（33歳）戦がおこなわれました。                   　10時に始まった対局は19時30分に終局。

B | 其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。結果は126手で永瀬九段の勝ちとなりました。         　リーグ成績は永瀬九段２勝０敗、羽生九段１勝１敗となりました。         永瀬九段、熱戦を制する          　羽生九段先手で戦型は相掛かりに。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。互いに飛車先の歩を交換しあったあと、羽生九段は腰掛銀に構えます。部分的には古くからある構えですが、時代が進んだ先に再び現れるのが将棋の奥深いところです。         　永瀬九段は角交換のあと、銀冠に組みました。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。

C | 　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。対して羽生九段は自陣に角を打ち、積極的に手を作っていきます。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。

D | 　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。

E |          　中盤、永瀬九段は金取りを放置して、銀冠の囲いに玉を収めます。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。対して羽生九段は取れる金を取らず、桂を跳ねて取りを重ねる、虚々実々の応酬。（文章来源：科创板日报）。見応えのある複雑な手順が続きました。         　評価値は何度か揺れ動いたあと、最終盤に入ったところでは羽生九段が永瀬玉のすぐそばに強力な龍を寄せて迫り、優位に立っていたようです。

F |          　96手目。永瀬九段は金取りに桂を打って羽生玉に迫ります。持ち時間４時間のうち、残りは両者ともに28分でした。評価値は羽生九段優勢。しかし局後の感想戦を聞く限りでは、羽生九段はこのあたりで形勢を悲観していたようです。         　97手目。羽生九段は15分考えたあと、金を右に動かして、自陣に迫るもう１枚の桂を取ります。結果的にはこの手が本局の大きな分岐点となったようです。

G | 感想戦で永瀬九段は左側に逃げる手を候補にあげていました。         羽生「ああ・・・。そうですか」（少し先に進めて）          永瀬「この局面で指す手が難しいかと」          羽生「ひえー」          　本譜の進行は一手争いにおける速度が逆転しました。         　103手目、羽生九段は龍で永瀬玉に王手をかけます。いわゆる合駒請求。相手が合駒をしてくれれば、自玉の詰めろがほどける仕掛けです。

H |          　104手目。永瀬九段は合駒を打たず、すぐに玉を端にかわします。きわどいようでも、これが最善。羽生九段は永瀬玉に必至をかけて下駄を預けました。

I |          　最後は羽生玉が詰むや詰まざるや。そう簡単な詰みのようには見えません。しかし永瀬九段は長手数の詰みを読み切っていました。         　126手目。

J | 永瀬九段は歩を打って王手をかけます。羽生九段はここで投了。熱戦に終止符が打たれました。

K |          リーグ戦でほとんど負けなしの永瀬九段          　永瀬九段は前期の王位挑戦者。リーグは５戦全勝を達成しています。         　また今年度は王将リーグで６戦全勝を達成しています。         　順位戦Ａ級では前節８回戦で１敗しましたが、そこまでは７連勝でした。              　以上の通り、永瀬九段はリーグ戦でほとんど負けていません。         　永瀬九段の今年度成績は44勝18敗（勝率0.710）となりました。                   羽生九段、ここから巻き返せるか？          　両者の通算対戦成績は羽生８勝、永瀬21勝となりました。              　羽生九段に最も勝ち越している棋士は永瀬九段。次いで藤井聡太王位（六冠）です。

L |               　王位リーグ（本割）における羽生九段と永瀬九段の対戦は、永瀬九段の５戦全勝となりました。

M |                    　一方、プレーオフでの対戦は１回あり、そちらは羽生九段が勝っています。

N | 大山康晴15世名人の史上最多勝記録を抜いた、メモリアルの一局でした。              　リーグは永瀬九段が全勝で走らない限り、１敗をキープしていればチャンスが残されています。永世王位資格保持者のレジェンド羽生九段。

o | ここから巻き返せるでしょうか。

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Published on:00:13:57