假如爱有天意
风云A9L订单获51971台 预售15.99万元起 将于7月8日正式上市_我的网站

一 | AI 的发展正在不断推高全球对算力的需求,随着以英伟达(NVIDIA)为代表的高端 AI 加速器功耗快速攀升,数据中心的机架功率密度将被推至 300 千瓦级别。 巨大能耗之下,散热成为不容忽视的关键问题:芯片消耗的电能几乎全部以热的形式耗散出来。而在目前的芯片热传导路径中,铜是散热扩散层、热管、蒸汽腔和封装基板的主力材料,导热率约为 400 瓦每米每开尔文(W/m·K)。一个世纪以来,这就是金属导热的真实性能上限。

二 | 新车从4月23日上海车展开始,迄今获得51971台的订单。 今年年初,加利福尼亚大学洛杉矶分校(UCLA)萨缪利工程学院的胡永杰教授团队在《科学》(Science)发文,他们造出一种曾经只存在于理论中的金属材料:θ 相氮化钽(θ-TaN)单晶。新车定位中大型轿车,采用插电混合动力,并将于7月8日上市。

三 | 实验发现,该材料的室温导热率可达 1,100 W/m·K 左右,接近铜的三倍。 (来源:Science) θ-TaN 的 70 年发现之旅 1950 年代,德国化学家布劳尔(Brauer)等人在高温高压条件下发现,TaN 存在一种 θ 相。车尾部分同样具备贯穿式尾灯,尾灯造型修长。车身尺寸方面,该车的长宽高分别为5018/1965/1500mm,轴距为3000mm。近年来,学界预测,θ-TaN 具备远超常规金属的本征导热率,潜在值接近金刚石和砷化硼。

四 | 但此前有关 θ-TaN 的研究都停留在理论层面,高质量 θ-TaN 晶体始终未被造出,其导热性能也无从验证。 障碍主要在合成端。

五 | 稳定 θ 相需要在数千摄氏度环境下对材料施加数吉帕(GPa)压力,加之氮化钽体系中存在立方(δ-TaN)、六方(ε-TaN)、四方(t-TaN)等多种竞争晶相,过往合成的样品几乎都是含有晶界、缺陷与混相的多晶粉末。

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七 | 而且,此前的理论分析也指出,如果 θ-TaN 晶体存在缺陷或杂质,其导热率会远低于理论值水平。 为解决这一难题,胡永杰团队与日本东北大学(Tohoku University)多学科先进材料研究所的孝广(Takahiro Yamada)等人合作,采用了一种名为助熔剂辅助复分解反应的技术:以金属钠同时充当还原剂和助熔剂,绕开传统高压合成路线,在富氮环境下直接将氧化钽转化为氮化钽单晶。方向盘采用双辐设计,前方为悬浮式数字仪表,中控区屏幕尺寸15.6英寸,副仪表台具备单无线充电平台,再下方为香氛系统。
动力方面,新车搭载鲲鹏超能C-DM 6.0,由1.5T发动机与单电机组成,发动机最大功率115千瓦,电动机最大功率160千瓦。新车将配备磷酸铁锂电池,纯电续航达到260公里以上,满油满电综合续航为2500km ,30%-80%快充仅需14.5分钟,最高车速210km/h。(文/ 王亮)
八 | 团队进一步通过拉曼光谱、单晶 X 射线衍射(S-XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、电子能量损失谱(EELS)等表征手段确认了样品的结构完整性,证实其特征与先前预测高度吻合。 成功造出单晶后,团队终于有了验证 θ-TaN 导热率的机会。测量结果显示,在室温条件下,θ-TaN 沿 a 轴方向(六方晶格底面内)的导热率约为 1105 W/m·K,沿 c 轴方向(垂直于底面)约为 928 W/m·K,反映出 θ-TaN 导热性能的各向异性。而跨整个晶体扫描的空间分布测量显示,同一方向上导热率在样品各处保持一致,这表明测得的高导热率来自晶格本征行为,不是偶然现象。 θ-TaN 的优越导热性能与其特殊的晶体结构密切相关。 在微观层面,固体材料的导热由两类载体承担:一是自由电子的定向流动,二是晶格原子的集体振动。后者在量子力学框架下被定义为声子(phonon),类比电子传递电流,声子则在晶体里传递热量。

九 | 在铜、铝、银等常规金属中,热传导主要由自由电子承担,但电子与声子的相互作用反而会消耗上述两条通道的输运能力;再者,其内部活跃的声子-声子散射会进一步削弱导热。但 θ-TaN 的特殊之处在于,其声子-声子的相互作用极弱,电子也几乎不与声子交换能量,同时把两条散射通道都堵上了。

十 | 此外,钽元素的一个自然属性又提供了第三重加成。声子在晶格中传播时,如果遇到质量不一致的原子,也会发生散射,影响导热。但钽几乎是单一同位素元素,天然钽中 ¹⁸¹Ta 同位素的丰度高达 99.988%,原子质量差异导致的散射在 θ-TaN 上天然被削弱。 这些特性让热量可在 θ-TaN 晶格中以罕见的低阻尼状态传输,接近“晶格对热运动透明”的理论极限。 以金属之躯,达到金刚石级别的导热性能 需要注意的是,θ-TaN 只打破了金属材料维持一百多年的导热率纪录,还有导热性能更好的非金属材料,比如金刚石(俗称钻石)。

十一 | 天然金刚石的导热率可达 1,500~2,200 W/m·K,超纯合成金刚石可达 3,000 W/m·K。目前,工业上已在探索用化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜作为热扩散层,直接键合至逻辑计算芯片的背面,用于台积电 CoWoS 等 2.5D/3D 先进封装。 图 | 单晶 CVD 金刚石薄膜(来源:WikiPedia) 但金刚石有三个显著短板:生长速度慢、能耗高,制造成本居高不下;再者,金刚石是电绝缘体,加入电气路径时需要多一道工艺;最后,作为已知最硬的材料,对金刚石进行切割、抛光、打孔都极其困难,与硅工艺的兼容性偏弱。

十二 | 面对这些劣势,θ-TaN 的金属属性,及其与现有芯片封装工艺天然亲和,让它有望成为比金刚石更优的选择。

十三 | 首先,氮化钽薄膜本身就是集成电路制造中常用的扩散阻挡层材料,目前的铜互连工艺广泛使用氮化钽作为衬垫。θ-TaN 如果能以薄膜形式沉积,就能无缝衔接现有产线,无需引入额外工艺。 此外,它既能充当芯片背面的热扩散层,也可以作为热界面材料(TIM)的高导热填料,甚至有可能在高功率射频器件和电力电子模块中,成为兼具导电与导热功能的一体化互连层,光这一点,就是绝缘的金刚石做不到的。 不过,团队也指出,受限于产能和制备难度,θ-TaN 短期内不太可能替代铜、铝等块状散热器材料,更现实的应用形态是被置于芯片和散热器之间,充当高导热中间层,功能类似上文提到的 CVD 金刚石薄膜。而且,TaN 的 θ 相在常温常压下是亚稳相,未来要进入产业,还需评估其长期热稳定性。 造出 θ-TaN 之后,这项研究更重要的意义或许在于,团队进一步释放了金属材料的导热潜力。论文显示,除了 θ-TaN 之外,氮化钨、磷化钼等过渡金属化合物的电子-声子耦合也偏低。这为行业和学界提了个醒,或许可以对这些物质进行系统性地合成和测量,筛出更多具备高导热性质的金属材料。 参考内容: https://www.science.org/doi/epdf/10.1126/science.aeb1142 运营/排版:何晨龙 注:封面/首图由 AI 辅助生成。
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Published on:09:50:45
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